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Référence fabricant | AS4C128M16MD2A-25BCN |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C128M16MD2A-25BCN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C128M16MD2A-25BCN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Taille mémoire | 2Gb (128M x 16) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 134-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 134-FBGA (10x11.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M16MD2A-25BCN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C128M16MD2A-25BCN-FT |
AS7C31026B-20JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-20JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026C-12JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026C-12JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3513B-10JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3513B-10JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3513B-12JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3513B-12JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3513B-15JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3513B-15JCNTR
Alliance Memory, Inc.
LCMXO2-640UHC-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N3F40C3
Intel
5SGSED6K2F40I2LN
Intel
LFXP2-30E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780I3
Intel