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Référence fabricant | AS4C128M16D3LB-12BCNTR |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C128M16D3LB-12BCNTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C128M16D3LB-12BCNTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3L |
Taille mémoire | 2Gb (128M x 16) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.283V ~ 1.45V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 96-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 96-FBGA (8x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M16D3LB-12BCNTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C128M16D3LB-12BCNTR-FT |
AT49F002T-90PC
Microchip Technology
AT49F002T-90PI
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AT49F040-12PC
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AT49F040-12PI
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AT49F040-70PC
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AT49F040-70PI
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AT49F040-90PC
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AT49F040-90PI
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AT49F040A-55PI
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AT49F040A-70PI
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XC3S500E-4CPG132C
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APA075-FG144A
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
XC7S6-1CSGA225C
Xilinx Inc.
10M04SAM153I7G
Intel
5AGXFB5H4F35I3N
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EP2AGX260FF35C6N
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EP20K100EFC324-3
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EPF8636AQC160-3N
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