maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / AS4C128M16D3-12BAN
Référence fabricant | AS4C128M16D3-12BAN |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C128M16D3-12BAN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
AS4C128M16D3-12BAN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3 |
Taille mémoire | 2Gb (128M x 16) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.425V ~ 1.575V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 96-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 96-FBGA (13x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M16D3-12BAN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C128M16D3-12BAN-FT |
AT49LV002NT-12PC
Microchip Technology
AT49LV002NT-12PI
Microchip Technology
AT49LV002NT-90PC
Microchip Technology
AT49LV002NT-90PI
Microchip Technology
AT49LV002T-12PC
Microchip Technology
AT49LV002T-12PI
Microchip Technology
AT49LV002T-70PC
Microchip Technology
AT49LV002T-70PI
Microchip Technology
AT49LV002T-90PC
Microchip Technology
AT49LV002T-90PI
Microchip Technology
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel