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Référence fabricant | AS4C128M16D2-25BINTR |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C128M16D2-25BINTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C128M16D2-25BINTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 2Gb (128M x 16) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 84-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 84-FBGA (10.5x13.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M16D2-25BINTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C128M16D2-25BINTR-FT |
MT41K256M8DA-125 AIT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 IT:K
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MT41K256M8DA-125:K TR
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MT41K256M8DA-125:M
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MT41K256M8DA-15E:M
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MT41K512M8DA-093 IT:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-093 IT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-093:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 IT:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107:P
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