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Référence fabricant | AS1507-BTDT-100 |
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Numéro de pièce future | FT-AS1507-BTDT-100 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS1507-BTDT-100 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Cône | Linear |
Configuration | Potentiometer |
Nombre de circuits | 2 |
Nombre de robinets | 256 |
Résistance (Ohms) | 100k |
Interface | SPI |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 5.5V |
Caractéristiques | Mute |
Tolérance | ±25% |
Coefficient de température (Typ) | 90 ppm/°C |
Résistance - Essuie-glace (Ohms) (Typ) | 200 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Paquet / caisse | 16-WFQFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 16-TQFN (3x3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS1507-BTDT-100 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS1507-BTDT-100-FT |
X9429WV14-2.7
Renesas Electronics America Inc.
X9429WV14-2.7T1
Renesas Electronics America Inc.
X9429WV14I
Renesas Electronics America Inc.
X9429WV14I-2.7
Renesas Electronics America Inc.
X9429WV14I-2.7T1
Renesas Electronics America Inc.
X9429WV14I-2.7T2
Renesas Electronics America Inc.
X9429WV14IT1
Renesas Electronics America Inc.
X9429WV14IZ
Renesas Electronics America Inc.
X9429WV14IZ-2.7
Renesas Electronics America Inc.
X9429WV14IZ-2.7T1
Renesas Electronics America Inc.
XC3S1400AN-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FF1517I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FC256-1N
Intel
5SGSMD5H3F35I3N
Intel
A40MX04-PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC20E-4FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3FT324I
Lattice Semiconductor Corporation