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Référence fabricant | AQ12EA4R3BAJWE |
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Numéro de pièce future | FT-AQ12EA4R3BAJWE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | AQ |
AQ12EA4R3BAJWE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 4.3pF |
Tolérance | ±0.1pF |
Tension - nominale | 150V |
Coéfficent de température | A |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C |
Caractéristiques | - |
Évaluations | - |
Applications | RF, Microwave, High Frequency |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 0505 (1313 Metric) |
Taille / Dimension | 0.055" L x 0.055" W (1.40mm x 1.40mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.057" (1.45mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AQ12EA4R3BAJWE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AQ12EA4R3BAJWE-FT |
AQ12EA1R2BAJME
AVX Corporation
AQ12EA1R2BAJWE
AVX Corporation
AQ12EA1R2CAJME
AVX Corporation
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AVX Corporation
XC3S50AN-4FT256I
Xilinx Inc.
XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
XCKU095-2FFVC1517E
Xilinx Inc.
A3P125-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP4CGX150CF23C8
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
LCMXO2-256HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S3F45I2LG
Intel
EP2S90F780I4N
Intel
EP3SL70F780I3N
Intel