maison / des produits / Condensateurs / Aluminium - Condensateurs polymères / APXD100ARA331MJ80G
Référence fabricant | APXD100ARA331MJ80G |
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Numéro de pièce future | FT-APXD100ARA331MJ80G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NPCAP™-PXD |
APXD100ARA331MJ80G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Polymer |
Capacitance | 330µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 10V |
ESR (résistance série équivalente) | 25 mOhm |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 125°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | - |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 3.5A @ 100kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | - |
Taille / Dimension | 0.394" Dia (10.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.315" (8.00mm) |
Surface du terrain de montage | 0.406" L x 0.406" W (10.30mm x 10.30mm) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APXD100ARA331MJ80G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APXD100ARA331MJ80G-FT |
RNU1E181MDN1
Nichicon
RNU1E181MDN1PX
Nichicon
RNU1E221MDN1
Nichicon
RNU1E221MDN1PX
Nichicon
RNU1E221MDNASQKX
Nichicon
RNU1E221MDNASQPX
Nichicon
RNU1E331MDN1
Nichicon
RNU1E391MDN1
Nichicon
RNU1E680MDN1
Nichicon
RNU1H390MDN1
Nichicon
EPF10K50STC144-3
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LFE2-12E-7Q208C
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A3PN030-Z1QNG48
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APA600-PQG208M
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LCMXO3LF-9400E-5BG484C
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10M50DCF484C7G
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5SGXEA7K3F40C4N
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LFE2-6E-5F256C
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EP20K100EFC324-2N
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EP4SGX360HF35C3N
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