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Microsemi Corporation APTMC120AM09CT3AG

Numéro de pièce MFG
APTMC120AM09CT3AG
quantité disponible
62710 Pièces
Prix de référence
USD 717.08448
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APTMC120AM09CT3AG.pdf
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APTMC120AM09CT3AG Caractéristiques

Référence fabricant APTMC120AM09CT3AG
Numéro de pièce future FT-APTMC120AM09CT3AG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APTMC120AM09CT3AG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N Channel (Phase Leg)
Caractéristique FET Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss) 1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 295A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 200A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 40mA (Typ)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 644nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11000pF @ 1000V
Puissance - Max 1250W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse SP3
Package d'appareils du fournisseur SP3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTMC120AM09CT3AG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APTMC120AM09CT3AG-FT

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