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APTM60H23FT1G Image

Microsemi Corporation APTM60H23FT1G

Numéro de pièce MFG
APTM60H23FT1G
quantité disponible
60970 Pièces
Prix de référence
USD 29.77992
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APTM60H23FT1G.pdf
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APTM60H23FT1G Caractéristiques

Référence fabricant APTM60H23FT1G
Numéro de pièce future FT-APTM60H23FT1G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APTM60H23FT1G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 4 N-Channel (H-Bridge)
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 276 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 165nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5316pF @ 25V
Puissance - Max 208W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse SP1
Package d'appareils du fournisseur SP1
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM60H23FT1G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APTM60H23FT1G-FT

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