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Microsemi Corporation APTM120UM70DAG

Numéro de pièce MFG
APTM120UM70DAG
quantité disponible
46080 Pièces
Prix de référence
USD 199.738
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- MOSFET N-CH 1200V 171A SP6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APTM120UM70DAG.pdf
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APTM120UM70DAG Caractéristiques

Référence fabricant APTM120UM70DAG
Numéro de pièce future FT-APTM120UM70DAG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APTM120UM70DAG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 171A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 85.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 30mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1650nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 43500pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 5000W (Tc)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur SP6
Paquet / caisse SP6
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM120UM70DAG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APTM120UM70DAG-FT

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