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Microsemi Corporation APTM120A80FT1G
- Numéro de pièce MFG
- APTM120A80FT1G
- quantité disponible
- 21760 Pièces
- Prix de référence
- USD 0
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Microsemi Corporation
- Brève description
- - MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Matrices
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- APTM120A80FT1G.pdf
APTM120A80FT1G Caractéristiques
| Référence fabricant | APTM120A80FT1G |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-APTM120A80FT1G |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| APTM120A80FT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Obsolete |
| Type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caractéristique FET | Standard |
| Drain à la tension source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 14A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 960 mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6696pF @ 25V |
| Puissance - Max | 357W |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / caisse | SP1 |
| Package d'appareils du fournisseur | SP1 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| APTM120A80FT1G Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | APTM120A80FT1G-FT |
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