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Microsemi Corporation APTM100U13SG

Name: APTM100U13SG
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM100U13SG
Availability: InStock
Rating: 4.6 (449 reviews)

Numéro de pièce MFG: APTM100U13SG

quantité disponible: 93440 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microsemi Corporation

Brève description: - MOSFET N-CH 1000V 65A J3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: APTM100U13SG.pdf

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APTM100U13SG Caractéristiques

Référence fabricant	APTM100U13SG
Numéro de pièce future	FT-APTM100U13SG
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
APTM100U13SG Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	65A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	145 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 10mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2000nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	31600pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1250W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur	Module
Paquet / caisse	J3 Module
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM100U13SG Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	APTM100U13SG-FT

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