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Microsemi Corporation APTC90DAM60T1G

Numéro de pièce MFG
APTC90DAM60T1G
quantité disponible
89560 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
CoolMOS™ MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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APTC90DAM60T1G Caractéristiques

Référence fabricant APTC90DAM60T1G
Numéro de pièce future FT-APTC90DAM60T1G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries CoolMOS™
APTC90DAM60T1G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 900V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 59A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 6mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 540nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13600pF @ 100V
Caractéristique FET Super Junction
Dissipation de puissance (max) 462W (Tc)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur SP1
Paquet / caisse SP1
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTC90DAM60T1G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APTC90DAM60T1G-FT

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