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Référence fabricant | APTC80H29T1G |
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Numéro de pièce future | FT-APTC80H29T1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTC80H29T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 800V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 15A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2254pF @ 25V |
Puissance - Max | 156W |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SP1 |
Package d'appareils du fournisseur | SP1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTC80H29T1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTC80H29T1G-FT |
DMT3022UEV-7
Diodes Incorporated
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