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APTC80H29T1G Image

Microsemi Corporation APTC80H29T1G

Numéro de pièce MFG
APTC80H29T1G
quantité disponible
80590 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APTC80H29T1G.pdf
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APTC80H29T1G Caractéristiques

Référence fabricant APTC80H29T1G
Numéro de pièce future FT-APTC80H29T1G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APTC80H29T1G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET 4 N-Channel (H-Bridge)
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2254pF @ 25V
Puissance - Max 156W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse SP1
Package d'appareils du fournisseur SP1
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTC80H29T1G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APTC80H29T1G-FT

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