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Référence fabricant | APTC80DDA29T3G |
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Numéro de pièce future | FT-APTC80DDA29T3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTC80DDA29T3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 800V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 15A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2254pF @ 25V |
Puissance - Max | 156W |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SP3 |
Package d'appareils du fournisseur | SP3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTC80DDA29T3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTC80DDA29T3G-FT |
DMT2005UDV-13
Diodes Incorporated
DMT2005UDV-7
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DMT3020LDV-13
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NTMFD5C462NLT1G
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VMM45-02F
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XC2S200-5PQ208C
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XC2S300E-6PQG208C
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A3P250-VQ100I
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5SGSMD4E3H29C3N
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5AGXMA1D6F27C6N
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XC2VP50-6FF1148I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
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EPF8636AQC160-4N
Intel
EP1S40F1020I6N
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