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APT70GR65B2SCD30 Image

Microsemi Corporation APT70GR65B2SCD30

Numéro de pièce MFG
APT70GR65B2SCD30
quantité disponible
51860 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
* INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APT70GR65B2SCD30.pdf
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APT70GR65B2SCD30 Caractéristiques

Référence fabricant APT70GR65B2SCD30
Numéro de pièce future FT-APT70GR65B2SCD30
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries *
APT70GR65B2SCD30 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type IGBT NPT
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 134A
Courant - collecteur pulsé (Icm) 260A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 70A
Puissance - Max 595W
Énergie de commutation -
Type d'entrée -
Charge de la porte 305nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 19ns/170ns
Condition de test 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse TO-247-3
Package d'appareils du fournisseur T-MAX™ [B2]
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT70GR65B2SCD30 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APT70GR65B2SCD30-FT

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