maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / APT60M75L2FLLG
Référence fabricant | APT60M75L2FLLG |
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Numéro de pièce future | FT-APT60M75L2FLLG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWER MOS 7® |
APT60M75L2FLLG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 73A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 36.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8930pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 893W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | 264 MAX™ [L2] |
Paquet / caisse | TO-264-3, TO-264AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT60M75L2FLLG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT60M75L2FLLG-FT |
PMV450ENEAR
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PMV48XP/MIR
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PMV50ENEAR
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PMV55ENEAR
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PMV65ENEAR
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PMV65UNEAR
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PMV65XP/MIR
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PMV65XPER
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PMV90ENER
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SI2304DS,215
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