maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / APT50GT120B2RDQ2G
Référence fabricant | APT50GT120B2RDQ2G |
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Numéro de pièce future | FT-APT50GT120B2RDQ2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Thunderbolt IGBT® |
APT50GT120B2RDQ2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | NPT |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 94A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 150A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 50A |
Puissance - Max | 625W |
Énergie de commutation | 2330µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 340nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 24ns/230ns |
Condition de test | 800V, 50A, 4.7 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT50GT120B2RDQ2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT50GT120B2RDQ2G-FT |
RGTV00TK65DGC11
Rohm Semiconductor
RGTV60TK65GVC11
Rohm Semiconductor
RGW00TK65DGVC11
Rohm Semiconductor
RGW00TK65GVC11
Rohm Semiconductor
RGW60TK65GVC11
Rohm Semiconductor
RGW80TK65GVC11
Rohm Semiconductor
RJP4009ANS-01#Q6
Renesas Electronics America
RJP60F4DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJP60V0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60D0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
LFEC1E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010XL-2PQ208I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FG484
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AGL600V5-FGG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
5SGSED6K3F40I3L
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XC7VX330T-1FFG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F780C5
Intel