maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / APT50GN60BDQ2G
Référence fabricant | APT50GN60BDQ2G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-APT50GN60BDQ2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APT50GN60BDQ2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 107A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 150A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 50A |
Puissance - Max | 366W |
Énergie de commutation | 1185µJ (on), 1565µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 325nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 20ns/230ns |
Condition de test | 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 [B] |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT50GN60BDQ2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT50GN60BDQ2G-FT |
RJP60F4DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJP60V0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60D0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60D5DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60D6DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60D7DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJP60D0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJP60F0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJP60F5DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60F7DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
M2GL010TS-1VF400I
Microsemi Corporation
EPF10K30EFC256-3
Intel
5SGXMB5R3F40I3N
Intel
5AGXBA5D4F27I5N
Intel
EP4SGX530KH40I4N
Intel
LFXP15C-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2AGX65CU17I5N
Intel
EP2AGZ300FF35I3N
Intel