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APT50GN60BDQ2G Image

Microsemi Corporation APT50GN60BDQ2G

Numéro de pièce MFG
APT50GN60BDQ2G
quantité disponible
25190 Pièces
Prix de référence
USD 5.1464
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- IGBT 600V 107A 366W TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APT50GN60BDQ2G.pdf
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APT50GN60BDQ2G Caractéristiques

Référence fabricant APT50GN60BDQ2G
Numéro de pièce future FT-APT50GN60BDQ2G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APT50GN60BDQ2G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 107A
Courant - collecteur pulsé (Icm) 150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 50A
Puissance - Max 366W
Énergie de commutation 1185µJ (on), 1565µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 325nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 20ns/230ns
Condition de test 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse TO-247-3
Package d'appareils du fournisseur TO-247 [B]
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT50GN60BDQ2G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APT50GN60BDQ2G-FT

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