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APT45GP120B2DQ2G Image

Microsemi Corporation APT45GP120B2DQ2G

Numéro de pièce MFG
APT45GP120B2DQ2G
quantité disponible
28120 Pièces
Prix de référence
USD 17.688
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
POWER MOS 7® IGBT 1200V 113A 625W TMAX
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APT45GP120B2DQ2G.pdf
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APT45GP120B2DQ2G Caractéristiques

Référence fabricant APT45GP120B2DQ2G
Numéro de pièce future FT-APT45GP120B2DQ2G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries POWER MOS 7®
APT45GP120B2DQ2G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT PT
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 113A
Courant - collecteur pulsé (Icm) 170A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 45A
Puissance - Max 625W
Énergie de commutation 900µJ (on), 905µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 185nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 18ns/100ns
Condition de test 600V, 45A, 5 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse TO-247-3 Variant
Package d'appareils du fournisseur -
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT45GP120B2DQ2G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APT45GP120B2DQ2G-FT

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