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APT40SM120B Image

Microsemi Corporation APT40SM120B

Numéro de pièce MFG
APT40SM120B
quantité disponible
77330 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- MOSFET N-CH 1200V 41A TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APT40SM120B.pdf
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APT40SM120B Caractéristiques

Référence fabricant APT40SM120B
Numéro de pièce future FT-APT40SM120B
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APT40SM120B Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss) 1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 41A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA (Typ)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 20V
Vgs (Max) +25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2560pF @ 1000V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 273W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-247
Paquet / caisse TO-247-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT40SM120B Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APT40SM120B-FT

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