maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / APT30GN60BG
Référence fabricant | APT30GN60BG |
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Numéro de pièce future | FT-APT30GN60BG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APT30GN60BG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 63A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 90A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
Puissance - Max | 203W |
Énergie de commutation | 525µJ (on), 700µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 165nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 12ns/155ns |
Condition de test | 400V, 30A, 4.3 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 [B] |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT30GN60BG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT30GN60BG-FT |
RJH60D6DPM-00#T1
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RJH60D7DPM-00#T1
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RJP60D0DPM-00#T1
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RJP60F0DPM-00#T1
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RJP60F5DPM-00#T1
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RJH60F7DPQ-A0#T0
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RJH60D7BDPQ-E0#T2
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RJH60D7DPQ-E0#T2
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RJP65T43DPQ-A0#T2
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RJH60F3DPQ-A0#T0
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