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Microsemi Corporation APT30GN60BDQ2G

Numéro de pièce MFG
APT30GN60BDQ2G
quantité disponible
66110 Pièces
Prix de référence
USD 3.9344
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- IGBT 600V 63A 203W TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APT30GN60BDQ2G.pdf
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APT30GN60BDQ2G Caractéristiques

Référence fabricant APT30GN60BDQ2G
Numéro de pièce future FT-APT30GN60BDQ2G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APT30GN60BDQ2G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 63A
Courant - collecteur pulsé (Icm) 90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
Puissance - Max 203W
Énergie de commutation 525µJ (on), 700µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 165nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 12ns/155ns
Condition de test 400V, 30A, 4.3 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse TO-247-3
Package d'appareils du fournisseur TO-247 [B]
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT30GN60BDQ2G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APT30GN60BDQ2G-FT

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