maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / APT29F100L
Référence fabricant | APT29F100L |
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Numéro de pièce future | FT-APT29F100L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APT29F100L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1000V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 30A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 460 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8500pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1040W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-264 |
Paquet / caisse | TO-264-3, TO-264AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT29F100L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT29F100L-FT |
PMV32UP/MIR
Nexperia USA Inc.
PMV35EPER
Nexperia USA Inc.
PMV42ENER
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PMV450ENEAR
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PMV48XP/MIR
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PMV50ENEAR
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PMV55ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV65ENEAR
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PMV65UNEAR
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PMV65XP/MIR
Nexperia USA Inc.
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
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AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
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AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel