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APT29F100L Image

Microsemi Corporation APT29F100L

Numéro de pièce MFG
APT29F100L
quantité disponible
50710 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- MOSFET N-CH 1000V 30A TO264
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APT29F100L.pdf
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APT29F100L Caractéristiques

Référence fabricant APT29F100L
Numéro de pièce future FT-APT29F100L
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APT29F100L Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 460 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8500pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1040W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-264
Paquet / caisse TO-264-3, TO-264AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT29F100L Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APT29F100L-FT

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