maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / APT28F60B
Référence fabricant | APT28F60B |
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Numéro de pièce future | FT-APT28F60B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APT28F60B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 30A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5575pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 520W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 [B] |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT28F60B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT28F60B-FT |
PMPB47XP,115
Nexperia USA Inc.
PMPB48EP,115
Nexperia USA Inc.
PMPB50ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB55ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB85ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB95ENEAX
Nexperia USA Inc.
APT5010LLLG
Microsemi Corporation
APT38F80L
Microsemi Corporation
APT12057LFLLG
Microsemi Corporation
APT44F80L
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
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EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel