maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / APT27HZTR-G1
Référence fabricant | APT27HZTR-G1 |
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Numéro de pièce future | FT-APT27HZTR-G1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APT27HZTR-G1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 800mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 450V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 40mA, 200mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 10µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 6 @ 300mA, 10V |
Puissance - Max | 800mW |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT27HZTR-G1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT27HZTR-G1-FT |
FMMT551TC
Diodes Incorporated
FMMT558TC
Diodes Incorporated
FMMT589TC
Diodes Incorporated
FMMT591TC
Diodes Incorporated
FMMT596TC
Diodes Incorporated
FMMT597TC
Diodes Incorporated
FMMT618TC
Diodes Incorporated
FMMT620TC
Diodes Incorporated
FMMT625TC
Diodes Incorporated
FMMT634TC
Diodes Incorporated
A1010B-1VQ80I
Microsemi Corporation
EX128-PTQG100I
Microsemi Corporation
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
EP4CE75F23I8LN
Intel
EPF10K30AFC256-3
Intel
10CL006YE144C8G
Intel
XC6VLX240T-1FFG1759C
Xilinx Inc.
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation