maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / APT26F120L
Référence fabricant | APT26F120L |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-APT26F120L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APT26F120L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 27A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9670pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1135W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-264 [L] |
Paquet / caisse | TO-264-3, TO-264AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT26F120L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT26F120L-FT |
PMV28UNEAR
Nexperia USA Inc.
PMV32UP/MIR
Nexperia USA Inc.
PMV35EPER
Nexperia USA Inc.
PMV42ENER
Nexperia USA Inc.
PMV450ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV48XP/MIR
Nexperia USA Inc.
PMV50ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV55ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV65ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV65UNEAR
Nexperia USA Inc.