maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / APT25GP120BG
Référence fabricant | APT25GP120BG |
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Numéro de pièce future | FT-APT25GP120BG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWER MOS 7® |
APT25GP120BG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | PT |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 69A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 90A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 25A |
Puissance - Max | 417W |
Énergie de commutation | 500µJ (on), 438µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 110nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 12ns/70ns |
Condition de test | 600V, 25A, 5 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 [B] |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT25GP120BG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT25GP120BG-FT |
RJH60F3DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60D5BDPQ-E0#T2
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