maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / APT200GN60B2G
Référence fabricant | APT200GN60B2G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-APT200GN60B2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APT200GN60B2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 283A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 600A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 200A |
Puissance - Max | 682W |
Énergie de commutation | 13mJ (on), 11mJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 1180nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 50ns/560ns |
Condition de test | 400V, 200A, 1 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT200GN60B2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT200GN60B2G-FT |
RGW60TS65DGC11
Rohm Semiconductor
RGTH00TS65DGC11
Rohm Semiconductor
RGTV00TK65GVC11
Rohm Semiconductor
RGTV60TK65DGVC11
Rohm Semiconductor
RGW60TK65DGVC11
Rohm Semiconductor
RGW80TK65DGVC11
Rohm Semiconductor
RGTV00TK65DGC11
Rohm Semiconductor
RGTV60TK65GVC11
Rohm Semiconductor
RGW00TK65DGVC11
Rohm Semiconductor
RGW00TK65GVC11
Rohm Semiconductor
LFXP6C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU040-2FBVA676I
Xilinx Inc.
LAE3-35EA-6LFTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F27C6N
Intel
EP4CE75F23C7N
Intel
EP3SE260F1517C3N
Intel
EP4SE530F43C2N
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PQ160
Microsemi Corporation