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APT13GP120BDQ1G Image

Microsemi Corporation APT13GP120BDQ1G

Numéro de pièce MFG
APT13GP120BDQ1G
quantité disponible
80550 Pièces
Prix de référence
USD 6.129952
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
POWER MOS 7® IGBT 1200V 41A 250W TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APT13GP120BDQ1G.pdf
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APT13GP120BDQ1G Caractéristiques

Référence fabricant APT13GP120BDQ1G
Numéro de pièce future FT-APT13GP120BDQ1G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries POWER MOS 7®
APT13GP120BDQ1G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT PT
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 41A
Courant - collecteur pulsé (Icm) 50A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 13A
Puissance - Max 250W
Énergie de commutation 115µJ (on), 165µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 55nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 9ns/28ns
Condition de test 600V, 13A, 5 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse TO-247-3
Package d'appareils du fournisseur TO-247 [B]
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT13GP120BDQ1G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APT13GP120BDQ1G-FT

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