maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / APT13GP120BDQ1G
Référence fabricant | APT13GP120BDQ1G |
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Numéro de pièce future | FT-APT13GP120BDQ1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWER MOS 7® |
APT13GP120BDQ1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | PT |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 41A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 50A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 13A |
Puissance - Max | 250W |
Énergie de commutation | 115µJ (on), 165µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 55nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 9ns/28ns |
Condition de test | 600V, 13A, 5 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 [B] |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT13GP120BDQ1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT13GP120BDQ1G-FT |
RGTH80TS65DGC11
Rohm Semiconductor
RGW60TS65DGC11
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RGTH00TS65DGC11
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RGTV00TK65GVC11
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