maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / APT13005DI-G1
Référence fabricant | APT13005DI-G1 |
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Numéro de pièce future | FT-APT13005DI-G1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APT13005DI-G1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 4A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 450V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 900mV @ 1A, 4A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 2A, 5V |
Puissance - Max | 25W |
Fréquence - Transition | 4MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-251 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT13005DI-G1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT13005DI-G1-FT |
MMST4124-7-F
Diodes Incorporated
BC817-25W-7
Diodes Incorporated
BC857AW-7-F
Diodes Incorporated
BC847AW-7-F
Diodes Incorporated
BC817-16W-7
Diodes Incorporated
BC846AW-7-F
Diodes Incorporated
MMSTA06Q-7-F
Diodes Incorporated
MMSTA56Q-7-F
Diodes Incorporated
ZUMT491TA
Diodes Incorporated
MMST3904-7-F
Diodes Incorporated
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel