maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / APT13003SZTR-G1
Référence fabricant | APT13003SZTR-G1 |
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Numéro de pièce future | FT-APT13003SZTR-G1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APT13003SZTR-G1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1.3A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 450V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 250mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5 @ 1A, 2V |
Puissance - Max | 1.1W |
Fréquence - Transition | 4MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT13003SZTR-G1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT13003SZTR-G1-FT |
FMMT591TC
Diodes Incorporated
FMMT596TC
Diodes Incorporated
FMMT597TC
Diodes Incorporated
FMMT618TC
Diodes Incorporated
FMMT620TC
Diodes Incorporated
FMMT625TC
Diodes Incorporated
FMMT634TC
Diodes Incorporated
FMMT6517TC
Diodes Incorporated
FMMT6520TC
Diodes Incorporated
FMMT717TC
Diodes Incorporated
LCMXO640E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
A42MX36-FBG272
Microsemi Corporation
AFS1500-2FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2LN
Intel
EP4SGX290NF45C4
Intel
EP3SL110F1152I4L
Intel
XC6VLX195T-1FF1156I
Xilinx Inc.