maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / APT13003HZTR-G1
Référence fabricant | APT13003HZTR-G1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-APT13003HZTR-G1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APT13003HZTR-G1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1.5A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 465V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 250mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 13 @ 500mA, 2V |
Puissance - Max | 1.1W |
Fréquence - Transition | 4MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT13003HZTR-G1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT13003HZTR-G1-FT |
FMMT549TC
Diodes Incorporated
FMMT551TC
Diodes Incorporated
FMMT558TC
Diodes Incorporated
FMMT589TC
Diodes Incorporated
FMMT591TC
Diodes Incorporated
FMMT596TC
Diodes Incorporated
FMMT597TC
Diodes Incorporated
FMMT618TC
Diodes Incorporated
FMMT620TC
Diodes Incorporated
FMMT625TC
Diodes Incorporated
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ300HF40I4N
Intel
EP3SE260H780C3N
Intel
5SGXEA4H1F35I2N
Intel
XC5VSX35T-2FF665I
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation