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Microsemi Corporation APT11GP60BDQBG

Name: APT11GP60BDQBG
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT11GP60BDQBG
Availability: InStock
Rating: 4.6 (128 reviews)

Numéro de pièce MFG: APT11GP60BDQBG

quantité disponible: 30200 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microsemi Corporation

Brève description: POWER MOS 7® IGBT 600V 41A 187W TO247

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - IGBT - Simples

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: APT11GP60BDQBG.pdf

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APT11GP60BDQBG Caractéristiques

Référence fabricant	APT11GP60BDQBG
Numéro de pièce future	FT-APT11GP60BDQBG
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	POWER MOS 7®
APT11GP60BDQBG Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type IGBT	PT
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	41A
Courant - collecteur pulsé (Icm)	45A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 11A
Puissance - Max	187W
Énergie de commutation	46µJ (on), 90µJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de la porte	40nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	7ns/29ns
Condition de test	400V, 11A, 5 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	TO-247-3
Package d'appareils du fournisseur	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT11GP60BDQBG Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	APT11GP60BDQBG-FT

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