maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / APT10M11JVR
Référence fabricant | APT10M11JVR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-APT10M11JVR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWER MOS V® |
APT10M11JVR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 144A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 450nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10300pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 450W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | ISOTOP® |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT10M11JVR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT10M11JVR-FT |
APT94N65B2C6
Microsemi Corporation
APL602B2G
Microsemi Corporation
APT26F120B2
Microsemi Corporation
APT34F100B2
Microsemi Corporation
APT75F50B2
Microsemi Corporation
APT28M120B2
Microsemi Corporation
APT43M60B2
Microsemi Corporation
APT56M50B2
Microsemi Corporation
APT56M60B2
Microsemi Corporation
APT66F60B2
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel