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Référence fabricant | APD360VP-G1 |
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Numéro de pièce future | FT-APD360VP-G1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APD360VP-G1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 680mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AA, DO-27, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-27 |
Température de fonctionnement - Jonction | -50°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APD360VP-G1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APD360VP-G1-FT |
1N5400G-T
Diodes Incorporated
1N5401G-T
Diodes Incorporated
1N5402G-T
Diodes Incorporated
1N5406G-T
Diodes Incorporated
1N5401-B
Diodes Incorporated
1N5401-T
Diodes Incorporated
1N5406-B
Diodes Incorporated
1N5407-B
Diodes Incorporated
SB330-T
Diodes Incorporated
SB340-T
Diodes Incorporated
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel