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Référence fabricant | APD160VHTR-E1 |
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Numéro de pièce future | FT-APD160VHTR-E1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APD160VHTR-E1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 680mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APD160VHTR-E1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APD160VHTR-E1-FT |
1N6677
Microsemi Corporation
1N6700
Microsemi Corporation
1N6700US
Microsemi Corporation
1N6701
Microsemi Corporation
1N6701US
Microsemi Corporation
1N6762
Microsemi Corporation
1N6762R
Microsemi Corporation
1N6763
Microsemi Corporation
1N6763R
Microsemi Corporation
1N6764
Microsemi Corporation
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
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A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
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EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation