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Référence fabricant | APD160VD-G1 |
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Numéro de pièce future | FT-APD160VD-G1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APD160VD-G1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 680mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-41 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APD160VD-G1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APD160VD-G1-FT |
1N6673R
Microsemi Corporation
1N6674
Microsemi Corporation
1N6674R
Microsemi Corporation
1N6677
Microsemi Corporation
1N6700
Microsemi Corporation
1N6700US
Microsemi Corporation
1N6701
Microsemi Corporation
1N6701US
Microsemi Corporation
1N6762
Microsemi Corporation
1N6762R
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EPF10K50STC144-1
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XC7A75T-1FTG256I
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A54SX16A-1PQ208M
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MPF100TS-1FCVG484I
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A3PN060-Z2VQG100
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AT40K10-2EQI
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XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
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LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
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