maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / AOZ8312DI
Référence fabricant | AOZ8312DI |
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Numéro de pièce future | FT-AOZ8312DI |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AOZ8312DI Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Steering (Rail to Rail) |
Canaux Unidirectionnels | 5 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 2.5V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 2.8V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 9V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 18A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 160W |
Protection de ligne électrique | Yes |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 2.3pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 12-UFDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 12-DFN-EP (3.5x2.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOZ8312DI Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AOZ8312DI-FT |
5.0SMDJ30CA-QH
Bourns Inc.
5.0SMDJ33A-Q
Bourns Inc.
5.0SMDJ33A-QH
Bourns Inc.
5.0SMDJ33CA-Q
Bourns Inc.
5.0SMDJ33CA-QH
Bourns Inc.
5.0SMDJ36A-Q
Bourns Inc.
5.0SMDJ36A-QH
Bourns Inc.
5.0SMDJ36CA-Q
Bourns Inc.
5.0SMDJ36CA-QH
Bourns Inc.
5.0SMDJ40A-Q
Bourns Inc.
XC6SLX75-3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7N
Intel
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
EP4SGX530KF43C4N
Intel
EP3SE80F1152C4N
Intel
LFEC1E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5MG184I
Lattice Semiconductor Corporation