maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / AOZ8211DI-12
Référence fabricant | AOZ8211DI-12 |
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Numéro de pièce future | FT-AOZ8211DI-12 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AOZ8211DI-12 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 12V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 14V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 21V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 5A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 100W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 30pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0402 (1006 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 2-DFN (1x0.6) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOZ8211DI-12 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AOZ8211DI-12-FT |
5.0SMDJ13A-QH
Bourns Inc.
5.0SMDJ13CA-Q
Bourns Inc.
5.0SMDJ13CA-QH
Bourns Inc.
5.0SMDJ14A-Q
Bourns Inc.
5.0SMDJ14A-QH
Bourns Inc.
5.0SMDJ14CA-Q
Bourns Inc.
5.0SMDJ14CA-QH
Bourns Inc.
5.0SMDJ15A-Q
Bourns Inc.
5.0SMDJ15A-QH
Bourns Inc.
5.0SMDJ15CA-Q
Bourns Inc.
A54SX08A-TQG144A
Microsemi Corporation
XC6SLX25-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZVQ100I
Microsemi Corporation
10M25DCF256C7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
XC7K70T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2N
Intel