maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / AOZ8211DI-02
Référence fabricant | AOZ8211DI-02 |
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Numéro de pièce future | FT-AOZ8211DI-02 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AOZ8211DI-02 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 2.5V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 2.8V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 9.5V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 6A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 50W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 11pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0402 (1006 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 2-DFN (1x0.6) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOZ8211DI-02 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AOZ8211DI-02-FT |
5.0SMDJ12CA-Q
Bourns Inc.
5.0SMDJ12CA-QH
Bourns Inc.
5.0SMDJ13A-Q
Bourns Inc.
5.0SMDJ13A-QH
Bourns Inc.
5.0SMDJ13CA-Q
Bourns Inc.
5.0SMDJ13CA-QH
Bourns Inc.
5.0SMDJ14A-Q
Bourns Inc.
5.0SMDJ14A-QH
Bourns Inc.
5.0SMDJ14CA-Q
Bourns Inc.
5.0SMDJ14CA-QH
Bourns Inc.
LCMXO2-1200HC-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M1AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP1S10B672C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2L
Intel
XC5VSX35T-2FFG665I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-11FFG672C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CSG289I
Microsemi Corporation
A42MX24-2TQ176I
Microsemi Corporation