maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / AOW20S60
Référence fabricant | AOW20S60 |
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Numéro de pièce future | FT-AOW20S60 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | aMOS™ |
AOW20S60 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 20A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1038pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 266W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-262 |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOW20S60 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AOW20S60-FT |
ZVN4210GTC
Diodes Incorporated
ZVN4306GTC
Diodes Incorporated
ZVN4306GVTC
Diodes Incorporated
ZVN4310GTA
Diodes Incorporated
ZVN4310GTC
Diodes Incorporated
ZVN4424GTC
Diodes Incorporated
ZVN4525GTC
Diodes Incorporated
ZVNL110GTC
Diodes Incorporated
ZVNL120GTC
Diodes Incorporated
ZVP0545GTC
Diodes Incorporated
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel