maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / AOW15S60
Référence fabricant | AOW15S60 |
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Numéro de pièce future | FT-AOW15S60 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | aMOS™ |
AOW15S60 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 15A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 717pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 208W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-262 |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOW15S60 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AOW15S60-FT |
ZVN2110GTC
Diodes Incorporated
ZVN2120GTC
Diodes Incorporated
ZVN4206GVTC
Diodes Incorporated
ZVN4210GTC
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ZVN4306GVTC
Diodes Incorporated
ZVN4310GTA
Diodes Incorporated
ZVN4310GTC
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Diodes Incorporated
ZVN4525GTC
Diodes Incorporated
XC4005XL-2PQ100I
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XC2VP4-5FG456C
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XC4VFX40-10FF672C
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XC2V8000-4FFG1152C
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LCMXO2-4000HE-4BG256I
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