maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / AOW15S60
Référence fabricant | AOW15S60 |
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Numéro de pièce future | FT-AOW15S60 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | aMOS™ |
AOW15S60 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 15A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 717pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 208W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-262 |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOW15S60 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AOW15S60-FT |
ZVN2110GTC
Diodes Incorporated
ZVN2120GTC
Diodes Incorporated
ZVN4206GVTC
Diodes Incorporated
ZVN4210GTC
Diodes Incorporated
ZVN4306GTC
Diodes Incorporated
ZVN4306GVTC
Diodes Incorporated
ZVN4310GTA
Diodes Incorporated
ZVN4310GTC
Diodes Incorporated
ZVN4424GTC
Diodes Incorporated
ZVN4525GTC
Diodes Incorporated
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
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A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
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LCMXO3LF-9400C-5BG484C
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LFE5UM5G-45F-8BG381C
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5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
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Intel