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Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOW11S65
- Numéro de pièce MFG
- AOW11S65
- quantité disponible
- 45430 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.96424
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Brève description
- aMOS™ MOSFET N-CH 650V 11A TO262
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- AOW11S65.pdf
AOW11S65 Caractéristiques
| Référence fabricant | AOW11S65 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-AOW11S65 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | aMOS™ |
| AOW11S65 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Not For New Designs |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11A (Tc) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13.2nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 646pF @ 100V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 198W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package d'appareils du fournisseur | TO-262 |
| Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| AOW11S65 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | AOW11S65-FT |
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