maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / AOTF12N30
Référence fabricant | AOTF12N30 |
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Numéro de pièce future | FT-AOTF12N30 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AOTF12N30 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 300V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 36W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3F |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOTF12N30 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AOTF12N30-FT |
AOC2415
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOC2417
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AOY514
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AOC2403
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A1010B-2VQ80I
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EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
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AFS090-2FG256I
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AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
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