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Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF11S60L

Name: AOTF11S60L
Brand: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
SKU: AOTF11S60L
Price: 0.884 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (343 reviews)

Numéro de pièce MFG: AOTF11S60L

quantité disponible: 65700 Pièces

Prix de référence: USD 0.884

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Brève description: aMOS™ MOSFET N-CH 600V 11A TO220F

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: AOTF11S60L.pdf

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AOTF11S60L Caractéristiques

Référence fabricant	AOTF11S60L
Numéro de pièce future	FT-AOTF11S60L
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	aMOS™
AOTF11S60L Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	399 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	545pF @ 100V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	38W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220-3F
Paquet / caisse	TO-220-3 Full Pack
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AOTF11S60L Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	AOTF11S60L-FT

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