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AOT1N60 Image

Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT1N60

Numéro de pièce MFG
AOT1N60
quantité disponible
17080 Pièces
Prix de référence
USD 0.496
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Date d'expédition
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fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Brève description
- MOSFET N-CH 600V 1.3A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
AOT1N60.pdf
AOT1N60 Image

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AOT1N60 Caractéristiques

Référence fabricant AOT1N60
Numéro de pièce future FT-AOT1N60
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
AOT1N60 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 Ohm @ 650mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 41.7W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AOT1N60 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange AOT1N60-FT

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