maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AOP605
Référence fabricant | AOP605 |
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Numéro de pièce future | FT-AOP605 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AOP605 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16.6nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 820pF @ 15V |
Puissance - Max | 2.5W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-PDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOP605 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AOP605-FT |
DMN2004DWKQ-7
Diodes Incorporated
DMN62D0UDW-13
Diodes Incorporated
2N7002DW-7
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2N7002DWA-7
Diodes Incorporated
BSS138DW-7
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BSS8402DW-7
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BSS84DW-7
Diodes Incorporated
DMN5L06DW-7
Diodes Incorporated
ZXMC3AM832TA
Diodes Incorporated
CMLDM7003 TR
Central Semiconductor Corp
XC4010XL-3TQ144C
Xilinx Inc.
XCV600E-8FG676C
Xilinx Inc.
AGL400V2-FG256T
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C15AF484I8N
Intel
EP2AGX125DF25C4
Intel
10AX032H4F34E3LG
Intel
EP4S100G4F45I3
Intel
XC5VLX85-2FF1153C
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation