maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AON7810
Référence fabricant | AON7810 |
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Numéro de pièce future | FT-AON7810 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AON7810 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12.2nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 542pF @ 15V |
Puissance - Max | 3.1W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerSMD, Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN-EP (3x3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON7810 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AON7810-FT |
DMP1046UFDB-13
Diodes Incorporated
DMP1046UFDB-7
Diodes Incorporated
DMP2060UFDB-13
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DMP2065UFDB-13
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DMP2075UFDB-13
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DMP2075UFDB-7
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DMT3020LFDB-7
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DMN3032LFDBQ-13
Diodes Incorporated
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LFE3-150EA-9FN1156C
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LFE2M35SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N1F40I2SGES
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