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Référence fabricant | AON6970 |
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Numéro de pièce future | FT-AON6970 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SRFET™ |
AON6970 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 24A, 42A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1171pF @ 15V |
Puissance - Max | 5W, 4.1W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerWDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN-EP (5x6) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON6970 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AON6970-FT |
DMN1029UFDB-13
Diodes Incorporated
DMN2041UFDB-13
Diodes Incorporated
DMN3032LFDB-13
Diodes Incorporated
DMN3032LFDB-7
Diodes Incorporated
DMN3055LFDB-13
Diodes Incorporated
DMP1046UFDB-13
Diodes Incorporated
DMP1046UFDB-7
Diodes Incorporated
DMP2060UFDB-13
Diodes Incorporated
DMP2065UFDB-13
Diodes Incorporated
DMP2075UFDB-13
Diodes Incorporated
XA6SLX16-3FTG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-2VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C7
Intel
XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
5AGXMB3G4F31I3N
Intel
EP4SE230F29I3N
Intel
EP3C25F324I7
Intel
EP20K200EQC208-2X
Intel